STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 215-220
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT012H90G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 138nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Länge | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 138nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.4 mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Länge 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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