STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 215-220
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT012H90G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- SCT012H90G3AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 138nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Breite | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 15.25mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 138nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.8mm | ||
Breite 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 15.25mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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