STMicroelectronics Sct N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 110 A 625 W, 3-Pin HIP-247-3

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.20.706

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 299 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.20.71
5 +CHF.20.09

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
719-464
Herst. Teile-Nr.:
SCT012W90G3AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

110A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Gehäusegröße

HIP-247-3

Serie

Sct

Montageart

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Verlustleistung Pd

625W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

138nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Breite

5.15 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Verwandte Links