STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5479
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT50N120
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5479
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT50N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.59Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 318W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.59Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 318W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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