STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5479
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT50N120
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.59Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 318W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.59Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Durchlassspannung Vf 3.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 318W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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