STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 20 A 175 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5492
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA20N120
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.189Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.02mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 41.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.189Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.02mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 41.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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