STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 20 A 175 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5492
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA20N120
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5492
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA20N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.189Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 16.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 41.37mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.189Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 16.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 41.37mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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