STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 20 A 175 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5491
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA20N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5491
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA20N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.189Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 175W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 41.37mm | |
| Länge | 16.02mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.189Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 175W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 41.37mm | ||
Länge 16.02mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
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