STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5478
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT50N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.963.27
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.32.109 | CHF.963.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 202-5478
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT50N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.59Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 318W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 122nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 34.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.59Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 318W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 122nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15 mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 34.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Niedrige Kapazität
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 65 A 318 W, 3-Pin Hip-247 SCT50N120
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 20 A 175 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 33 A 290 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 20 A 175 W, 3-Pin Hip-247 SCTWA20N120
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247 SCT10N120
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 16 A 153 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage SiC-Leistungsmodul 1200 V Entleerung / 12 A 150 W, 3-Pin Hip-247