STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 398 W, 3-Pin HIP-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 719-468
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018W65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | HIP-247-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 398W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße HIP-247-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 398W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
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