STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 239-5530
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- SCTW60N120G2
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 389W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Breite | 15.6mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 389W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Breite 15.6mm | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle
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