STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 4-Pin Hip-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 214-957
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040W120G3-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 214-957
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040W120G3-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247-4 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10 to 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1200V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ECOPACK2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247-4 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10 to 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1200V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ECOPACK2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
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