STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF 709.62
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 23.654 | CHF 709.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 389W | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 34.8mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Breite | 15.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 389W | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 34.8mm | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Breite 15.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle
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