STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 389W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18 V | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 34.8mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Breite | 15.6 mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 389W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18 V | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 34.8mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Breite 15.6 mm | ||
Höhe 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle
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