STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF 709.62
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 23.654 | CHF 709.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-5529
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW60N120G2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 389W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18V | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 15.6mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Höhe | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 389W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18V | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 15.6mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Höhe 5mm | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur. Er kann in Schaltnetzteilen, DC/DC-Wandlern und in der industriellen Motorsteuerung verwendet werden.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle
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