STMicroelectronics SCTH90 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 201-0868
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH90N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 201-0868
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH90N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Serie | SCTH90 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 157nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 484W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 10.4mm | |
| Breite | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Serie SCTH90 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 157nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 484W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 10.4mm | ||
Breite 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 116 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten
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