STMicroelectronics SCTH35 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 201-0891
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 201-0891
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTH35N65G2V-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCTH35 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 45 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.055 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCTH35 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 45 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.055 Ω | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Typ N-Kanal, Oberfläche 650 V Erweiterung / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7