STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 249-6653
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 249-6653
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT040H65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 30 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 30 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 30 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics N-Kanal STH65N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 51 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCTH35 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 45 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics Sct N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCTH90 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 116 A 484 W, 7-Pin H2PAK
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK