STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Kanal, Oberfläche 650 V Erweiterung / 55 A 385 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 671-932
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 671-932
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018H65G3-7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 55 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 385 W | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 4.8 mm | |
| Länge | 15.25 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 20 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 18 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 79.4 nC | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 55 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 385 W | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 4.8 mm | ||
Länge 15.25 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 20 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 18 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 79.4 nC | ||
Breite 10.4 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
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