STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Kanal, Oberfläche 650 V Erweiterung / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 671-934
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 671-934
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- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 60 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 388 W | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Höhe | 5.15 mm | |
| Länge | 35.9 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 21.5 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 82.5 nC | |
| Breite | 15.75 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 60 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 388 W | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Höhe 5.15 mm | ||
Länge 35.9 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 21.5 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 82.5 nC | ||
Breite 15.75 mm | ||
- Ursprungsland:
- IT
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