STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, Durchsteckmontage 650 V Erweiterung / 55 A 398 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 671-935
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018W65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 671-935
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018W65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 55 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 398 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Höhe | 5.15 mm | |
| Länge | 35.9 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 20 mΩ | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 76 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 55 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 398 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Höhe 5.15 mm | ||
Länge 35.9 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 20 mΩ | ||
Maximale Betriebstemperatur 200 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 76 nC | ||
- Ursprungsland:
- CN
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