STMicroelectronics Sct N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 60 A 388 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 719-466
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT018HU65G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | Sct | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Durchlassspannung Vf | 2.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Länge | 19mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie Sct | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Durchlassspannung Vf 2.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 3.6mm | ||
Länge 19mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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