STMicroelectronics SCT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 750 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-239
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 215-239
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | SCT | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 750 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 30 A | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie SCT | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 750 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 30 A | ||
Pinanzahl 7 | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
- Ursprungsland:
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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