STMicroelectronics SCT060HU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 30 A, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 152-111
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 152-111
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT060HU75G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | SCT060HU | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±18 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 14.1mm | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Breite | 19 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie SCT060HU | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±18 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 14.1mm | ||
Höhe 3.6mm | ||
Breite 19 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- JP
Das Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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