STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK

RS Best.-Nr.:: 481-135
Herst. Teile-Nr.:: STHU65N050DM9AG
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK

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Herst. Teile-Nr.:: STHU65N050DM9AG
Marke:: STMicroelectronics

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	51A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	STHU65
	Gehäusegröße	HU3PAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	N-Kanal
	Länge	11.9mm
	Normen/Zulassungen	AEC-Q101
	Höhe	3.6mm
	Breite	14.1 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke STMicroelectronics
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie STHU65
	Gehäusegröße HU3PAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration N-Kanal
	Länge 11.9mm
	Normen/Zulassungen AEC-Q101
	Höhe 3.6mm
	Breite 14.1 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - STHU65N050DM9AG

Ursprungsland:: JP

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der hochmodernen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9 und ist ideal für Mittel- und Hochspannungsanwendungen. Er bietet einen extrem niedrigen RDS(on) pro Fläche und integriert eine Fast-Recovery-Diode. Der fortschrittliche DM9-Prozess auf Siliziumbasis verfügt über eine Multi-Drain-Struktur, die die Gesamtleistung des Bauelements erhöht. Mit einer sehr niedrigen Erholungsladung (Qrr), einer kurzen Erholungszeit (trr) und einem minimalen RDS(on) ist dieser schnell schaltende MOSFET perfekt für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler geeignet.

Niedrige Gate-Ladung und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Äußerst hohe dv/dt-Robustheit

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts

AEC-Q101 qualifiziert

STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK

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