STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 481-132
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU60N046DM9AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.9.555
Auf Lager
- 300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.9.56 |
| 10 - 49 | CHF.7.74 |
| 50 - 99 | CHF.5.92 |
| 100 + | CHF.5.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 481-132
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU60N046DM9AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | STHU60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Länge | 11.9mm | |
| Breite | 14.1 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie STHU60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 3.6mm | ||
Länge 11.9mm | ||
Breite 14.1 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der fortschrittlichen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9 und ist für Mittel- und Hochspannungsanwendungen konzipiert. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche und eine integrierte Fast-Recovery-Diode aus. Die DM9-Technologie nutzt ein Multi-Drain-Fertigungsverfahren zur Verbesserung der Bauelementestruktur und -leistung. Mit niedriger Erholungsladung (Qrr), schneller Erholungszeit (trr) und niedrigem RDS(on) ist dieser schnell schaltende MOSFET ideal für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler.
Niedrige Gate-Ladung und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst hohe dv/dt-Robustheit
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts
AEC-Q101 qualifiziert
Verwandte Links
- STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics SCT060HU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 30 A, 7-Pin SCT060HU75G3AG HU3PAK
- STMicroelectronics STHU36N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 29 A 210 W, 7-Pin STHU36N60DM6AG HU3PAK
- STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin STHU47N60DM6AG HU3PAK
- STMicroelectronics STH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics STH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 7-Pin STHU32N65DM6AG HU3PAK
- STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK