STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 600 Stück)*

CHF.3’112.20

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
600 +CHF.5.187CHF.3’109.05

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
481-133
Herst. Teile-Nr.:
STHU65N050DM9AG
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

STHU65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Höhe

3.6mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

11.9mm

Breite

14.1 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der hochmodernen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9 und ist ideal für Mittel- und Hochspannungsanwendungen. Er bietet einen extrem niedrigen RDS(on) pro Fläche und integriert eine Fast-Recovery-Diode. Der fortschrittliche DM9-Prozess auf Siliziumbasis verfügt über eine Multi-Drain-Struktur, die die Gesamtleistung des Bauelements erhöht. Mit einer sehr niedrigen Erholungsladung (Qrr), einer kurzen Erholungszeit (trr) und einem minimalen RDS(on) ist dieser schnell schaltende MOSFET perfekt für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler geeignet.

Niedrige Gate-Ladung und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

Äußerst hohe dv/dt-Robustheit

Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts

AEC-Q101 qualifiziert

Verwandte Links