STMicroelectronics N-Kanal STHU65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V N / 51 A, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 481-133
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU65N050DM9AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 481-133
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- STHU65N050DM9AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 51A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | STHU65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Breite | 14.1 mm | |
| Länge | 11.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Höhe | 3.6mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie STHU65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Breite 14.1 mm | ||
Länge 11.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Höhe 3.6mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der hochmodernen Super-Junction-Technologie MDmesh DM9 und ist ideal für Mittel- und Hochspannungsanwendungen. Er bietet einen extrem niedrigen RDS(on) pro Fläche und integriert eine Fast-Recovery-Diode. Der fortschrittliche DM9-Prozess auf Siliziumbasis verfügt über eine Multi-Drain-Struktur, die die Gesamtleistung des Bauelements erhöht. Mit einer sehr niedrigen Erholungsladung (Qrr), einer kurzen Erholungszeit (trr) und einem minimalen RDS(on) ist dieser schnell schaltende MOSFET perfekt für hocheffiziente Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler geeignet.
Niedrige Gate-Ladung und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst hohe dv/dt-Robustheit
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiberstifts
AEC-Q101 qualifiziert
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