STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 23 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-242
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070HU120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 23W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 18.58mm | |
| Höhe | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 14 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 23W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 18.58mm | ||
Höhe 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 14 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
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