STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V / 90 A 555 W HU3PAK

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330-318
Herst. Teile-Nr.:
SCT019H120G3AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

HU3PAK

Serie

SCT0

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.5mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

555W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

Quellensensorstift für mehr Effizienz

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