STMicroelectronics SCT0, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 30 A 236 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 330-234
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT070W120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT0 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 63mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 236W | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 18 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT0 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 63mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 236W | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 18 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Sehr hohe Sperrschichttemperaturfähigkeit TJ gleich 200 °C
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