STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-972
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N12G24AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (30 Stück, in einer Stange mit 30)*
CHF 437.22
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 14.574 | CHF 437.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-972
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N12G24AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA40N12G24AG | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTWA40N12G24AG | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein sehr gutes Schaltverhalten aus. Die Variation der Schaltverluste ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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