STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-972
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N12G24AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 214-972
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N12G24AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTWA40N12G24AG | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTWA40N12G24AG | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein sehr gutes Schaltverhalten aus. Die Variation der Schaltverluste ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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