STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-4227
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTW40N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTW40N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
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