STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0474
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF 36.744 | CHF 1'102.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-0474
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
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