STMicroelectronics SCT019 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 1200 V / 90 A 486 W, 4-Pin Hip-247-4

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RS Best.-Nr.:
719-469
Herst. Teile-Nr.:
SCT019W120G3-4AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCT019

Gehäusegröße

Hip-247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-10 to 22 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

486W

Durchlassspannung Vf

2.8V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Länge

21.1mm

Höhe

5.1mm

Breite

15.9 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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