STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0475
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.36.603
Auf Lager
- 368 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF.36.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-0475
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA70N120G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 91A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 547W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 2.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Breite | 15.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5mm | |
| Länge | 34.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 91A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 547W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 2.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Breite 15.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5mm | ||
Länge 34.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin SCTW70N120G2V
- STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247
- Infineon IMZC120 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 480 W, 4-Pin IMZC120R012M2HXKSA1
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 56 A, 4-Pin SCT025W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 40 A, 4-Pin SCT040W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCTW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 388 W, 4-Pin SCTWA60N120G2-4