STMicroelectronics SCTW40N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247

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RS Best.-Nr.:
219-4228
Herst. Teile-Nr.:
SCTW40N120G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTW40N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

3.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Höhe

20.15mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

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