STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-4228
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.14.413
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.14.41 |
| 5 - 9 | CHF.14.23 |
| 10 - 24 | CHF.14.06 |
| 25 + | CHF.13.89 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-4228
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTW40N | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTW40N | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 56 A 388 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247