STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-973
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA40N12G24AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTWA40N12G24AG | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTWA40N12G24AG | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der zweiten Generation von ST entwickelt. Der Baustein zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Durchlasswiderstand pro Flächeneinheit und ein sehr gutes Schaltverhalten aus. Die Variation der Schaltverluste ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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