STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET-Module 1.2 kV Entleerung / 45 A, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 202-5494
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA30N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5494
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- SCTWA30N120
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.09Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.09Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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