STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 330-232
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCT0 | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.5mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 555W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCT0 | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.5mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 555W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
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