STMicroelectronics SCT0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V / 100 A 555 W, 7-Pin H2PAK-7
- RS Best.-Nr.:
- 330-232
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.26.523
Auf Lager
- 990 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.26.52 |
| 10 - 99 | CHF.23.88 |
| 100 + | CHF.22.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 330-232
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT020H120G3AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-7 | |
| Serie | SCT0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.5mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 121nC | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 555W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße H2PAK-7 | ||
Serie SCT0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.5mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 121nC | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 555W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Siliziumkarbid-Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde unter Verwendung der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.
AEC-Q101 qualifiziert
Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistungen
Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode
Quellensensorstift für mehr Effizienz
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT0 MOSFET 1200 V / 90 A 555 W SCT019H120G3AG HU3PAK
- STMicroelectronics SCT025H120G3AG N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 55 A, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT0, Oberfläche MOSFET 1200 V / 90 A 500 W, 7-Pin SCT019HU120G3AG HU3PAK
- STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT, Oberfläche MOSFET 1200 V / 55 A 375 W H2PAK-7 SCT025H120G3-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 30 A, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 300 W, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 30 A 224 W, 7-Pin SCT070H120G3-7 H2PAK-7