STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin HU3PAK

RS Best.-Nr.:: 234-8899
Herst. Teile-Nr.:: STHU47N60DM6AG
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin HU3PAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 234-8899
Herst. Teile-Nr.:: STHU47N60DM6AG
Marke:: STMicroelectronics

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	STMicroelectronics
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	36A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	STHU47
	Gehäusegröße	HU3PAK
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	80mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	25 V
	Maximale Verlustleistung Pd	250W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	55nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke STMicroelectronics
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie STHU47
	Gehäusegröße HU3PAK
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 25 V
	Maximale Verlustleistung Pd 250W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - STHU47N60DM6AG

Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Serie mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.

AEC-Q101-zertifiziert

Gehäusediode mit schnellerWiederherstellung

Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand

100 % Avalanche-getestet

STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin HU3PAK

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