STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 234-8899
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU47N60DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 600 Stück)*
CHF.2’501.40
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 600 + | CHF.4.169 | CHF.2’502.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8899
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU47N60DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | STHU47 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie STHU47 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Serie mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert der DM6 sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Erholungszeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhaltens auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schnellerWiederherstellung
Niedriger RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
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