STMicroelectronics STP50N60DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 36 A 250 W, 8-Pin TO-LL
- RS Best.-Nr.:
- 206-8634
- Herst. Teile-Nr.:
- STP50N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.12.054
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.6.027 | CHF.12.04 |
| 10 - 18 | CHF.5.124 | CHF.10.25 |
| 20 + | CHF.4.998 | CHF.10.01 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-8634
- Herst. Teile-Nr.:
- STP50N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-LL | |
| Serie | STP50N60DM6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 28.9mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Breite | 10 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-LL | ||
Serie STP50N60DM6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 28.9mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Breite 10 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics STP50N60DM6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 36 A 250 W, 8-Pin TO-LL
- STMicroelectronics STHU47 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 36 A 250 W, 7-Pin STHU47N60DM6AG HU3PAK
- STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics N-Kanal STHU60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 54 A, 7-Pin HU3PAK STHU60N046DM9AG
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Zener-geschützter SuperMESH-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT