STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 34 A, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 206-8633
- Herst. Teile-Nr.:
- STO67N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 206-8633
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- STO67N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 54mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Die MDmesh M6-Technologie von STMicroelectronics umfasst die neuesten Entwicklungen der bekannten und konsolidierten MDmesh-Familie von SJ-MOSFETs. STMicroelectronics baut auf der vorherigen Generation von MDmesh-Geräten mit seiner neuen M6-Technologie auf, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten verfügbaren Schaltverhaltensweisen sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz der Endanwendung kombiniert.
Reduzierte Schaltverluste
Geringerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100 % Avalanche-getestet
Zener-geschützt
Gehäuse mit hoher Verriegelung
Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts
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