STMicroelectronics STL24N60M2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 18 A, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 233-3042
- Herst. Teile-Nr.:
- STL24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | STL24N60M2 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 18 A | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.186 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie STL24N60M2 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 18 A | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.186 Ω | ||
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (COSS) profile
100% avalanche tested
Zener protected
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