STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V Erweiterung / 18 A, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 233-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- STL24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 233-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- STL24N60M2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.186Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.186Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Das Gerät von STMicroelectronics ist ein N-Kanal-Power-MOSFET, der mit MDmeshTM M2-Technologie entwickelt wurde. Dank seines Streifenlayouts und einer verbesserten vertikalen Struktur weist das Gerät einen geringen Widerstand beim Einschalten und optimierte Schaltereigenschaften auf, womit es für die anspruchsvollsten Hochleistungswandler geeignet ist.
Extrem niedrige Gate-Ladung
Ausgezeichnete Ausgangskapazität (COSS)
100 % Avalanche-getestet
Zenergeschützt
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