STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 2 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 151-935
- Herst. Teile-Nr.:
- STD2HNK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 20 - 180 | CHF.0.336 | CHF.6.68 |
| 200 - 480 | CHF.0.315 | CHF.6.32 |
| 500 - 980 | CHF.0.294 | CHF.5.86 |
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| 2000 + | CHF.0.263 | CHF.5.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-935
- Herst. Teile-Nr.:
- STD2HNK60Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super MESH-Technologie entwickelt, die durch die Optimierung eines etablierten, auf Streifen basierenden Power MESH-Layouts erreicht wird. Zusätzlich zu einer erheblichen Verringerung des Widerstands am Strom, wurde dieses Gerät entwickelt, um ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
100 % Avalanche-getestet
Gate-Ladung minimiert
Sehr niedrige innere Kapazität
Zenergeschützt
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