STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 151-453
- Herst. Teile-Nr.:
- STW20NM60
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.99.99
Auf Lager
- 360 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.3.333 | CHF.99.99 |
| 120 + | CHF.3.171 | CHF.94.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-453
- Herst. Teile-Nr.:
- STW20NM60
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.29Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | 50°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.15mm | |
| Länge | 34.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.29Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. 50°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.15mm | ||
Länge 34.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics verbindet den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen Power-MESH-Layout des Unternehmens. Das daraus resultierende Produkt zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein beeindruckend hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften aus. Die Anwendung der firmeneigenen Bandtechnik führt zu einer dynamischen Gesamtleistung, die deutlich besser ist als die vergleichbarer Konkurrenzprodukte.
100% Avalanche getestet
Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 210 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 156 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247