STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.6.048

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 504 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +CHF.3.024CHF.6.04

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
151-455
Herst. Teile-Nr.:
STW20NM60
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

50°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

15.75 mm

Länge

34.95mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics verbindet den Multiple-Drain-Prozess mit dem horizontalen Power-MESH-Layout des Unternehmens. Das daraus resultierende Produkt zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein beeindruckend hohes dv/dt und hervorragende Avalanche-Eigenschaften aus. Die Anwendung der firmeneigenen Bandtechnik führt zu einer dynamischen Gesamtleistung, die deutlich besser ist als die vergleichbarer Konkurrenzprodukte.

100% Avalanche getestet

Niedrige Eingangskapazität und Gate-Ladung

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

Verwandte Links