STMicroelectronics N-Kanal STO60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 79 A, 8-Pin TO-LL

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RS Best.-Nr.:
358-978
Herst. Teile-Nr.:
STO60N030M9
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Betriebsfrequenz

1 MHz

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

79A

Ausgangsleistung

255W

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-LL

Serie

STO60

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

N-Kanal

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

11.88 mm

Länge

10mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der neuesten Super-Junction-MDmesh-M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs geeignet ist. Die siliziumbasierte M9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bauelementestruktur ermöglicht. Das daraus resultierende Produkt hat einen der niedrigsten On-Widerstände und reduzierte Gate-Ladungswerte aller schnell schaltenden Super-Junction-Power-MOSFETs auf Siliziumbasis und eignet sich daher besonders für Anwendungen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.

Sehr niedriger FOM

Höhere VDSS-Einstufung

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Leichte Ansteuerung

100 Prozent lawinengeprüft

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