STMicroelectronics N-Kanal STO60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 55 A, 8-Pin TO-LL
- RS Best.-Nr.:
- 358-979
- Herst. Teile-Nr.:
- STO60N045DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STO60N045DM9
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Betriebsfrequenz | 1 MHz | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Ausgangsleistung | 255W | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-LL | |
| Serie | STO60 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Länge | 11.88mm | |
| Breite | 10 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Betriebsfrequenz 1 MHz | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Ausgangsleistung 255W | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-LL | ||
Serie STO60 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Länge 11.88mm | ||
Breite 10 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der neuesten Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs geeignet ist. Die siliziumbasierte DM9-Technologie profitiert von einem Multi-Drain-Herstellungsverfahren, das eine verbesserte Bauelementestruktur ermöglicht. Die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Erholungsladung (Qrr), Zeit (trr) und RDS(on) aus, sodass dieser schnell schaltende Super-Junction-Power-MOSFET für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenschieber-Wandler geeignet ist.
Schnell erholende Body-Diode
Sehr niedriger FOM
Geringe Eingangskapazität und Widerstand
100 Prozent lawinengeprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
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