STMicroelectronics STH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 55 A 320 W, 7-Pin HU3PAK
- RS Best.-Nr.:
- 240-0608
- Herst. Teile-Nr.:
- STHU32N65DM6AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- 240-0608
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- STHU32N65DM6AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | HU3PAK | |
| Serie | STH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße HU3PAK | ||
Serie STH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics ist Teil der MDmesh DM6-Schnell-Erholdioden-Serie. Im Vergleich zur vorherigen MDmesh-Schnellgeneration kombiniert DM6 sehr niedrige Erholladung (Qrr), Erholzeit (trr) und ausgezeichnete Verbesserung der RDS(on) pro Bereich mit einer der größten effektive Schaltverhalten auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
AEC-Q101-zertifiziert
Gehäusediode mit schneller Wiederherstellung
Niedrigerer RDS(on) pro Fläche im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100 % Avalanche-getestet
Äußerst dv/dt-unempfindlich
Zener-geschützt
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