STMicroelectronics STL125N10F8AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A 150 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 214-996
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N10F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 214-996
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N10F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 100-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in der STripFET-F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trunking-Gate-Struktur. Es sorgt für eine modernste Leistung für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Verringerung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
Niedrige Gate-Ladung Qg
Belüftbares Flankengehäuse
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