STMicroelectronics STL125N10F8AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A 150 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 214-996
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N10F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.2.846
Vorübergehend ausverkauft
- 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 01. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.2.85 |
| 10 - 99 | CHF.2.56 |
| 100 - 499 | CHF.2.37 |
| 500 - 999 | CHF.2.20 |
| 1000 + | CHF.1.96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-996
- Herst. Teile-Nr.:
- STL125N10F8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 125A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STL125N10F8AG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 125A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STL125N10F8AG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 100-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in der STripFET-F8-Technologie entwickelt und verfügt über eine verbesserte Trunking-Gate-Struktur. Es sorgt für eine modernste Leistung für einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bei gleichzeitiger Verringerung der internen Kapazitäten und der Gate-Ladung für ein schnelleres und effizienteres Schalten.
Niedrige Gate-Ladung Qg
Belüftbares Flankengehäuse
Verwandte Links
- STMicroelectronics STL125N10F8AG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A 150 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 125 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 140 A 125 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 95 A 127 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT