STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 192-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.605
Auf Lager
- 265 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.321 | CHF.11.58 |
| 25 - 45 | CHF.2.258 | CHF.11.28 |
| 50 - 120 | CHF.2.195 | CHF.10.97 |
| 125 - 245 | CHF.2.142 | CHF.10.70 |
| 250 + | CHF.2.09 | CHF.10.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-4882
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 215mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 215mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L60 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 39 A 202 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A 2.8 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT