STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 192-4658
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (3000 Stück, auf einer Rolle mit 3000)*
CHF 6'120.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF 2.04 | CHF 6'111.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 192-4658
- Herst. Teile-Nr.:
- STL26N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 215mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 215mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1mm | ||
Höhe 900μm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit hoher Spannung ist Teil der MDmesh TM DM6-Diode mit schneller Erholung. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert das DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem effektiven Schaltverhalten für die anspruchsvollsten hocheffizienten Bridge-Topologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 15 A 110 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5.5 A 48 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 160 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics ST8L60 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 39 A 202 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22 A 2.8 W, 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL160 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 160 A, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Kanal STL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 167 A, 8-Pin PowerFLAT