STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 110 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 786-3726
- Herst. Teile-Nr.:
- STL110N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.101 | CHF 10.52 |
| 50 - 245 | CHF 1.848 | CHF 9.26 |
| 250 - 495 | CHF 1.656 | CHF 8.27 |
| 500 + | CHF 1.424 | CHF 7.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 786-3726
- Herst. Teile-Nr.:
- STL110N10F7
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.35mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 5.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Serie STripFET H7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.35mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 5.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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