STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 876-5685
- Herst. Teile-Nr.:
- STL42P6LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.14.70
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.47 | CHF.14.74 |
| 50 - 90 | CHF.1.397 | CHF.14.00 |
| 100 - 240 | CHF.1.26 | CHF.12.61 |
| 250 - 490 | CHF.1.134 | CHF.11.34 |
| 500 + | CHF.1.082 | CHF.10.77 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 876-5685
- Herst. Teile-Nr.:
- STL42P6LLF6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 42A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 34mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Breite | 5.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 42A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Breite 5.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 42 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 100 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 100 W, 8-Pin STL60P4LLF6 PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET H7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 140 A 125 W, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 94 W, 8-Pin STL90N6F7 PowerFLAT
- STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 140 A 125 W, 8-Pin STL140N6F7 PowerFLAT
